3D XPOINT (NEW NVM 2017)
Es una tecnología de memoria no volátil (NVM) de Intel y Micron Technology; se anunció en julio de 2015 y está disponible en el mercado abierto desde abril de 2017. El almacenamiento de bits se basa en un cambio de resistencia a granel, junto con un conjunto de acceso a datos apilables cruzados. Los precios iniciales son menores que la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero más que la memoria flash.
Aunque la tecnología aparentemente no se basa en electrones. Se ha establecido que 3D XPoint usa resistencia eléctrica y que se puede direccionar poco. Se han observado similitudes con la memoria resistiva de acceso aleatorio desarrollada por Crossbar Inc., pero 3D XPoint usa diferente manera física de almacenamiento. Los desarrolladores de 3D XPoint indican que se basa en cambios en la resistencia del material a granel. Intel ha declarado que 3D XPoint no utiliza una tecnología de cambio de fase o memristor, aunque esto es cuestionado por revisores independientes. Las celdas de datos individuales no necesitan un transistor, por lo que la densidad de empaquetamiento será cuatro veces mayor que la de DRAM. Ningún otro proveedor parece tener una RAM resistente o una tecnología de memoria de cambio de fase que muestrea y combina el rendimiento y la resistencia de 3D XPoint.
A mediados de 2015, Intel anunció la marca Optane para productos de almacenamiento basados en tecnología 3D XPoint. Micron (usando la marca QuantX) calculó que la memoria se venderá por aproximadamente la mitad del precio de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero de cuatro a cinco veces el precio de la memoria flash. El 19 de marzo de 2017, Intel anunció su primer producto: una tarjeta PCIe disponible en la segunda mitad de 2017.
Aunque la tecnología aparentemente no se basa en electrones. Se ha establecido que 3D XPoint usa resistencia eléctrica y que se puede direccionar poco. Se han observado similitudes con la memoria resistiva de acceso aleatorio desarrollada por Crossbar Inc., pero 3D XPoint usa diferente manera física de almacenamiento. Los desarrolladores de 3D XPoint indican que se basa en cambios en la resistencia del material a granel. Intel ha declarado que 3D XPoint no utiliza una tecnología de cambio de fase o memristor, aunque esto es cuestionado por revisores independientes. Las celdas de datos individuales no necesitan un transistor, por lo que la densidad de empaquetamiento será cuatro veces mayor que la de DRAM. Ningún otro proveedor parece tener una RAM resistente o una tecnología de memoria de cambio de fase que muestrea y combina el rendimiento y la resistencia de 3D XPoint.
A mediados de 2015, Intel anunció la marca Optane para productos de almacenamiento basados en tecnología 3D XPoint. Micron (usando la marca QuantX) calculó que la memoria se venderá por aproximadamente la mitad del precio de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero de cuatro a cinco veces el precio de la memoria flash. El 19 de marzo de 2017, Intel anunció su primer producto: una tarjeta PCIe disponible en la segunda mitad de 2017.
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