MEMRISTOR (Memoria + resistencia)

De acuerdo con características relaciones matemáticas, hipotéticamente el memristor podría operar de la siguiente manera: la resistencia eléctrica del memristor no es constante sino que depende de la historia de la corriente que ha fluído previamente a través del dispositivo; es decir, su resistencia actual depende de la cantidad de carga eléctrica que ha fluído, y en qué dirección, a través de él en el pasado. El dispositivo recuerda su historia, la llamada propiedad de no-volatilidad. Cuando el suministro de energía eléctrica es desconectado, el memristor recuerda su resistencia más reciente, hasta que vuelva a ser encendido.

   

El nombre de Memristor, fue un término acuñado en 1971 por el teorista en circuitos Leon Chua como el componente eléctrico pasivo de dos terminales no-linear faltante, ya que relaciona la vinculación de la carga eléctrica con un flujo magnético. Chua también argumentó que el memristor es el elemento conocido más antiguo de los circuitos, con sus efectos precediendo al resistor, capacitor y al inductor, pero que aun no era creado. A la fecha esta en proceso de desarrollo y es muy probable que para el 2018 este a la venta a nivel mundial; aunque el 21 de marzo del 2015, Bio Inspired Technologies introdujo el primer memristor discreto comercial disponible en el mercado. El memristor está fabricado en silicio y está basado en el diseño de una batería conductora de calcogenuro de plata. El dispositivo es analógico y está programado en varios estados de programado y borrado por la aplicación de voltaje en corriente directa o pulsos discretos. El componente forma un bloque de construcción para los investigadores interesados en el diseño y creación de prototipos de circuitos neuromórficos y arquitecturas de memoria avanzada. Aunque la empresa sur koreana SK Hynix indico que ya saco a la venta (tambien 2015) sus primeras ReRAM memorias que estan basadas bajo el concepto de las Memristor.

   

El memristor de estado sólido de Williams (HP) se puede combinar en dispositivos llamados crossbar latches, el cual podría sustituir a los transistores en los ordenadores del futuro, dada su mayor densidad del circuito. Se pueden formar potencialmente en memorias de estado sólido no-volátiles, lo que permitiria una mayor densidad de datos que los discos duros con tiempos de acceso similares a DRAM, en sustitución de ambos componentes. HP prototipó una memoria de tipo "crossbar latch" que puede contener 100 gigabits por centímetro cuadrado, y propuso un diseño escalable en 3D (que consta de hasta 1000 capas o de 1 petabit por centímetro cúbico).La resistencia de los dispositivos se lee con corriente alterna, para que así el valor almacenado no se vea afectado. En mayo de 2012 se informó que el tiempo de acceso había sido mejorado a 90 nanosegundos, si no es que más rápido, aproximadamente cien veces más rápido que la memoria Flash contemporánea, durante el uso de un 1% de energía.